GD75FFX65C5S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 103A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 267W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 103A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD75FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
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IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 103A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 267W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 103A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3017.16 грн |
12+ | 2856.2 грн |
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Технічний опис GD75FFX65C5S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 103A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 267W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 267W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 103A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції GD75FFX65C5S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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GD75FFX65C5S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD75FFX65C5S IGBT modules |
товар відсутній |