GD75HHU120C5S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD75HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 115 A, 3.1 V, 667 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 115A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 667W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 115A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5398.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD75HHU120C5S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 115 A, 3.1 V, 667 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V, Dauer-Kollektorstrom: 115A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V, Verlustleistung Pd: 667W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 667W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: H-Brücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 115A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції GD75HHU120C5S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD75HHU120C5S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Collector current: 75A Case: C5 45mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Topology: H-bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
||
| GD75HHU120C5S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Collector current: 75A Case: C5 45mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Topology: H-bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |