GHXS020A060S-D3 SemiQ
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1821.8 грн |
| 10+ | 1789.64 грн |
| 20+ | 1509.47 грн |
| 50+ | 1489.44 грн |
| 100+ | 1359.26 грн |
| 200+ | 1317.87 грн |
| 500+ | 1269.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GHXS020A060S-D3 SemiQ
Description: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GHXS020A060S-D3 за ціною від 2718.28 грн до 2718.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GHXS020A060S-D3 | Виробник : SemiQ |
 Description: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|