Продукція > SEMIQ > GHXS060B120S-D3
GHXS060B120S-D3

GHXS060B120S-D3 SemiQ


GHXS060B120S_D3-1916721.pdf Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6012.97 грн
10+ 5569.29 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GHXS060B120S-D3 SemiQ

Description: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GHXS060B120S-D3 за ціною від 5506.49 грн до 6263.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GHXS060B120S-D3 GHXS060B120S-D3 Виробник : SemiQ Description: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6263.44 грн
10+ 5506.49 грн