GHXS100B120S-D3 SemiQ
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5172.55 грн |
| 10+ | 4620.35 грн |
| 20+ | 3946.93 грн |
| 50+ | 3875.49 грн |
| 100+ | 3602.44 грн |
| 200+ | 3545.02 грн |
| 500+ | 3514.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GHXS100B120S-D3 SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GHXS100B120S-D3 за ціною від 4091.84 грн до 5229.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GHXS100B120S-D3 | Виробник : SemiQ |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|