Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > GSF2315
GSF2315

GSF2315 Good-Ark Semiconductor

GSF2315.pdf Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 312mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.87 грн
15+ 18.61 грн
25+ 16.25 грн
100+ 9.88 грн
250+ 8.18 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GSF2315 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 312mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V.

Інші пропозиції GSF2315

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GSF2315 GSF2315 Виробник : Good-Ark Semiconductor GSF2315.pdf Description: MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 312mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
товар відсутній