на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 269.59 грн |
| 10+ | 232.81 грн |
| 100+ | 175.14 грн |
| 250+ | 166.48 грн |
| 500+ | 163.15 грн |
| 1000+ | 147.17 грн |
| 2500+ | 139.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT30N135SRA,S1E Toshiba
Description: IGBT 1350V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: -, 1.3mJ (off), Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 348 W.
Інші пропозиції GT30N135SRA,S1E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GT30N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 1350V 60A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: -, 1.3mJ (off) Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 270 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 348 W |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
GT30N135SRA,S1E | Виробник : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 348W Tube |
товар відсутній |