HER302GH Taiwan Semiconductor
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.72 грн |
| 10+ | 34.57 грн |
| 100+ | 20.93 грн |
| 500+ | 16.29 грн |
| 1250+ | 13.22 грн |
| 2500+ | 11.86 грн |
| 10000+ | 10.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER302GH Taiwan Semiconductor
Description: 50NS, 3A, 100V, HIGH EFFICIENT R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HER302GH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HER302GH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: 50NS, 3A, 100V, HIGH EFFICIENT RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |