HFA3096BZ Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 3 NPN + 2 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 8GHz, 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Description: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 3 NPN + 2 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 8GHz, 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
480+ | 499.19 грн |
960+ | 432.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HFA3096BZ Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - HFA3096BZ - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 8 V, 8 V, 37 mA, 37 mA, 150 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE, Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Verlustleistung, PNP: 150mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 37mA, Übergangsfrequenz, PNP: 5.5GHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 130hFE, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 8V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції HFA3096BZ за ціною від 412.13 грн до 723.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HFA3096BZ | Виробник : Renesas / Intersil | RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL |
на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HFA3096BZ | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - HFA3096BZ - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 8 V, 8 V, 37 mA, 37 mA, 150 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 130hFE Übergangsfrequenz, NPN: 8GHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung, PNP: 150mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 37mA Übergangsfrequenz, PNP: 5.5GHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 8V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 130hFE euEccn: NLR Anzahl der Pins: 16Pin(s) Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 8V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 37mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HFA3096BZ | Виробник : Intersil |
Pb-Free w/Anneal TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16NSOIC MIL HFA3 ITSHFA3096B кількість в упаковці: 48 шт |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |