HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 143+ | 141.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 32 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-263AB, Gate Charge: 71 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 24 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A, Power - Max: 104 W.
Інші пропозиції HGT1S12N60C3DS за ціною від 158.72 грн до 158.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HGT1S12N60C3DS | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HGT1S12N60C3DS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| HGT1S12N60C3DS | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors |
товар відсутній |