Продукція > INTERSIL > HIP6601BECB-T

HIP6601BECB-T INTERSIL


hip6601b-6603b-6604b.pdf Виробник: INTERSIL
0432+
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HIP6601BECB-T INTERSIL

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції HIP6601BECB-T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HIP6601BECB-T Виробник : INTERSIL hip6601b-6603b-6604b.pdf 0432+ SOP-8
на замовлення 5732 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HIP6601BECB-T Виробник : INTERSIL hip6601b-6603b-6604b.pdf 2003 SMD8
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HIP6601BECB-T HIP6601BECB-T Виробник : Renesas Electronics America Inc hip6601b-6603b-6604b.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 15 V
Supplier Device Package: 8-SOIC-EP
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
HIP6601BECB-T HIP6601BECB-T Виробник : Renesas / Intersil intersil_fn9072-1276972.pdf Gate Drivers
товар відсутній