HN1B01FDW1T1G Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
на замовлення 48182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7474+ | 2.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1B01FDW1T1G Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-74, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції HN1B01FDW1T1G за ціною від 2.67 грн до 26.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HN1B01FDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HN1B01FDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HN1B01FDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HN1B01FDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HN1B01FDW1T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: -MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HN1B01FDW1T1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary |
на замовлення 5575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HN1B01FDW1T1G | Виробник : ON | 07+ |
на замовлення 762 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
HN1B01FDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 1739 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
HN1B01FDW1T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R |
товар відсутній |