HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: US6.
Інші пропозиції HN1B04FU-Y,LF за ціною від 2 грн до 18.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HN1B04FU-Y,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 11232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HN1B04FU-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V |
на замовлення 8076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|