Продукція > TOSHIBA > HN2D01JE(TE85L,F)
HN2D01JE(TE85L,F)

HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba


docget.pdf Виробник: Toshiba
Rectifier Diode Switching 85V 0.2A 1.6ns 5-Pin ESV T/R
на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
965+12.07 грн
1080+ 10.79 грн
1121+ 10.39 грн
2000+ 9.92 грн
Мінімальне замовлення: 965
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba

Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Supplier Device Package: ESV, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.

Інші пропозиції HN2D01JE(TE85L,F) за ціною від 4.65 грн до 28.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.59 грн
16+ 18.2 грн
100+ 9.17 грн
500+ 7.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba HN2D01JE_datasheet_en_20230512-907368.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 2 Circuit 0.1A 80V
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.83 грн
16+ 20.24 грн
100+ 7.9 грн
1000+ 5.51 грн
4000+ 5.45 грн
8000+ 4.72 грн
24000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товар відсутній