Продукція > ROHM > HS8MA2TCR1
HS8MA2TCR1

HS8MA2TCR1 ROHM

hs8ma2tcr1-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.04 грн
500+ 39.23 грн
1000+ 28.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HS8MA2TCR1 ROHM

Description: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN3333, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції HS8MA2TCR1 за ціною від 28.49 грн до 86.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HS8MA2TCR1 HS8MA2TCR1 Виробник : Rohm Semiconductor hs8ma2tcr1-e.pdf Description: 30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.2 грн
10+ 69.68 грн
100+ 54.34 грн
500+ 42.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
HS8MA2TCR1 HS8MA2TCR1 Виробник : ROHM hs8ma2tcr1-e.pdf Description: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3333
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+83.46 грн
11+ 70.42 грн
100+ 51.04 грн
500+ 39.23 грн
1000+ 28.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
HS8MA2TCR1 HS8MA2TCR1 Виробник : ROHM Semiconductor hs8ma2tcr1-e.pdf MOSFET 30V Dual Common Drain Pch+Nch Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.02 грн
10+ 75.85 грн
100+ 51.48 грн
500+ 42.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
HS8MA2TCR1 HS8MA2TCR1 Виробник : Rohm Semiconductor hs8ma2tcr1-e.pdf Description: 30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO
товар відсутній