HUF75307T3ST

HUF75307T3ST Fairchild Semiconductor


FAIRS35127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 5276 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
761+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 761
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75307T3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75307T3ST за ціною від 40.34 грн до 40.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUF75307T3ST Виробник : ONSEMI FAIRS35127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUF75307T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
915+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 915
HUF75307T3ST Виробник : FAIRCHILD FAIRS35127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75307T3ST.pdf 07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307T3ST Виробник : FAIRCHILD FAIRS35127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75307T3ST.pdf SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307T3ST HUF75307T3ST Виробник : ON Semiconductor huf75307t3st.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
HUF75307T3ST HUF75307T3ST Виробник : onsemi HUF75307T3ST.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75307T3ST HUF75307T3ST Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS35127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75307T3ST.pdf MOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
товар відсутній