HUF75329D3S Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 314+ | 69.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75329D3S Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75329D3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| HUF75329D3S | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HUF75329D3S | Виробник : FAIRCHILD |
SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| HUF75329D3S | Виробник : FAIRCHILD |
TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
HUF75329D3S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 20A Rail |
товар відсутній |
|
 |
HUF75329D3S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
HUF75329D3S | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET |
товар відсутній |