Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUF75333P3

HUF75333P3 Fairchild Semiconductor

HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 41417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
365+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 365
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75333P3 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75333P3 за ціною від 59.07 грн до 59.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUF75333P3 Виробник : Harris Corporation HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
365+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 365
HUF75333P3 Виробник : FSC HUF75333(G3,P3,S3S,S3).pdf HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 06+
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75333P3
Код товару: 189444 		HUF75333(G3,P3,S3S,S3).pdf HRISSE11-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF75333P3 HUF75333P3 Виробник : ON Semiconductor huf75333s3.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
HUF75333P3 HUF75333P3 Виробник : onsemi HUF75333(G3,P3,S3S,S3).pdf Description: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75333P3 HUF75333P3 Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_1614832571635-1191968.pdf MOSFET TO-220 N-CH 55V 66A
товар відсутній