HUF75545P3 ON Semiconductor
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75545P3 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Інші пропозиції HUF75545P3 за ціною від 77.21 грн до 222.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75545P3 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75545P3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 73A Power dissipation: 270W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75545P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HUF75545P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HUF75545P3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 73A Power dissipation: 270W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75545P3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75545P3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HUF75545P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
HUF75545P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
HUF75545P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
HUF75545P3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
HUF75545P3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V |
товар відсутній |