HUF75652G3 ON Semiconductor
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 365.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75652G3 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 515W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75652G3 за ціною від 354.94 грн до 696.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75652G3 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 515W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75652G3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET |
на замовлення 890 шт: термін постачання 184-193 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HUF75652G3 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 515 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
HUF75652G3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 515W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 475nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
HUF75652G3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 515W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 475nC Technology: UltraFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |