HUF76609D3ST ON Semiconductor
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 44.77 грн |
14+ | 42.33 грн |
100+ | 33.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF76609D3ST ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 49W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF76609D3ST за ціною від 20.04 грн до 69.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HUF76609D3ST | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate |
на замовлення 9111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HUF76609D3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
HUF76609D3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
HUF76609D3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
HUF76609D3ST | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
HUF76609D3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V |
товар відсутній |