HUF76629D3ST_F085 Fairchild Semiconductor
на замовлення 21252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF76629D3ST_F085 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції HUF76629D3ST_F085
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF76629D3ST_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
HUF76629D3ST-F085 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET UltraFET Power MOSFET |
на замовлення 2441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
HUF76629D3ST_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
HUF76629D3ST-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|
 |
HUF76629D3ST-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
HUF76629D3ST-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |