Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > HUF76633S3ST
HUF76633S3ST

HUF76633S3ST Fairchild Semiconductor

FAIRS16043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
на замовлення 12648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 606
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF76633S3ST Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V, Power Dissipation (Max): 145W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF76633S3ST за ціною від 36.16 грн до 36.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUF76633S3ST Виробник : ONSEMI FAIRS16043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HUF76633S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 12648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
729+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 729
HUF76633S3ST HUF76633S3ST Виробник : onsemi HUF76633P3%2CS3S.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76633S3ST HUF76633S3ST Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FAIRS16043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF76633P3%2CS3S.pdf MOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній