IAUA250N04S6N005AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 123.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUA250N04S6N005AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 490A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IAUA250N04S6N005AUMA1 за ціною від 118.12 грн до 342.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUA250N04S6N005AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 490A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUA250N04S6N005AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS POWER MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 145µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11144 pF @ 25 V |
на замовлення 4782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUA250N04S6N005AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUA250N04S6N005AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N005AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 490 A, 0.00055 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 490A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUA250N04S6N005AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005596859 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUA250N04S6N005AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 62A On-state resistance: 0.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 170nC Technology: OptiMOS™ 6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.5kA Case: PG-HSOF-5 кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUA250N04S6N005AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 62A On-state resistance: 0.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 170nC Technology: OptiMOS™ 6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.5kA Case: PG-HSOF-5 |
товар відсутній |