Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUC60N04S6L039ATMA1
IAUC60N04S6L039ATMA1

IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+22.39 грн
10000+ 20.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm.

Інші пропозиції IAUC60N04S6L039ATMA1 за ціною від 19.8 грн до 65.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : INFINEON 2920456.pdf Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00328ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+36.89 грн
500+ 28.99 грн
1000+ 20.57 грн
5000+ 19.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Description: IAUC60N04S6L039ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.02mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1179 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.77 грн
10+ 44.77 грн
100+ 34.83 грн
500+ 27.71 грн
1000+ 22.57 грн
2000+ 21.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUC60N04S6L039_DataSheet_v01_00_EN-1840537.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 5851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.83 грн
10+ 48.43 грн
100+ 32.81 грн
500+ 27.83 грн
1000+ 22.58 грн
2500+ 21.32 грн
5000+ 20.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
185+63.23 грн
217+ 53.83 грн
253+ 46.11 грн
267+ 42.17 грн
500+ 36.49 грн
1000+ 32.91 грн
5000+ 28.93 грн
10000+ 27.14 грн
Мінімальне замовлення: 185
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : INFINEON 2920456.pdf Description: INFINEON - IAUC60N04S6L039ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.00328 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00328ohm
на замовлення 5928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.72 грн
15+ 51.79 грн
100+ 36.89 грн
500+ 28.99 грн
1000+ 20.57 грн
5000+ 19.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iauc60n04s6l039-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
IAUC60N04S6L039ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній