Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUCN04S6N017TATMA1
IAUCN04S6N017TATMA1

IAUCN04S6N017TATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IAUCN04S6N017T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbedb71ed7 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.27 грн
10+ 111.89 грн
25+ 105.59 грн
100+ 84.42 грн
250+ 79.27 грн
500+ 69.36 грн
1000+ 56.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUCN04S6N017TATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET_(20V 40V), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IAUCN04S6N017TATMA1 за ціною від 54.28 грн до 139.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUCN04S6N017TATMA1 IAUCN04S6N017TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUCN04S6N017T_DataSheet_v01_01_EN-3372547.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.42 грн
10+ 115.16 грн
100+ 79.45 грн
250+ 73.44 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 57.15 грн
2000+ 54.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IAUCN04S6N017TATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaucn04s6n017t-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A 10-Pin LHDSO EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
IAUCN04S6N017TATMA1 IAUCN04S6N017TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IAUCN04S6N017T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbedb71ed7 Description: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-LHDSO-10-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній