Продукція > INFINEON > IAUS200N08S5N023ATMA1
IAUS200N08S5N023ATMA1

IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON

2883919.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+168.2 грн
500+ 147.24 грн
1000+ 127.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: PG-HSOG, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm.

Інші пропозиції IAUS200N08S5N023ATMA1 за ціною від 118.23 грн до 294.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf OptiMOS Power-Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1800+175.28 грн
Мінімальне замовлення: 1800
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IAUS200N08S5N023.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+246.5 грн
10+ 199.25 грн
100+ 161.2 грн
500+ 134.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IAUS200N08S5N023_DataSheet_v01_01_EN-3361606.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.4 грн
10+ 221.04 грн
25+ 182.96 грн
100+ 155.22 грн
250+ 146.63 грн
500+ 138.05 грн
1000+ 118.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : INFINEON 2883919.pdf Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+294.16 грн
10+ 208.21 грн
100+ 168.2 грн
500+ 147.24 грн
1000+ 127.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf OptiMOS Power-Transistor
товар відсутній
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iaus200n08s5n023-datasheet-v01_01-en.pdf OptiMOS Power-Transistor Automotive AEC-Q101
товар відсутній
IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IAUS200N08S5N023.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 148A; Idm: 800A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 800A
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 148A
On-state resistance: 2.3mΩ
кількість в упаковці: 1800 шт
товар відсутній
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IAUS200N08S5N023.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IAUS200N08S5N023ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IAUS200N08S5N023.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 148A; Idm: 800A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 800A
Mounting: SMD
Case: PG-HSOG-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 148A
On-state resistance: 2.3mΩ
товар відсутній