IAUS240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 146.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUS240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: PG-HSOG, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IAUS240N08S5N019ATMA1 за ціною від 128.64 грн до 500.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: PG-HSOG Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IAUS240N08S5N019ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: PG-HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001792360 |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 173A; Idm: 960A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 173A Pulsed drain current: 960A Power dissipation: 230W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IAUS240N08S5N019ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 173A; Idm: 960A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 173A Pulsed drain current: 960A Power dissipation: 230W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |