IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 34.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IAUZ40N06S5N050ATMA1 за ціною від 31.88 грн до 87.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 35165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-33 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V |
на замовлення 10220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 86A T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 241A Power dissipation: 71W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IAUZ40N06S5N050ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 241A Power dissipation: 71W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |