IDD04SG60C Infineon Technologies
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDD04SG60C Infineon Technologies
Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 4A; PG-TO252-3; 43W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 3G; SiC, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward voltage: 2.1V, Case: PG-TO252-3, Kind of package: reel; tape, Leakage current: 0.3µA, Max. forward impulse current: 13.5A, Power dissipation: 43W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IDD04SG60C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDD04SG60C | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 4A; PG-TO252-3; 43W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.1V Case: PG-TO252-3 Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.3µA Max. forward impulse current: 13.5A Power dissipation: 43W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IDD04SG60C | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 4A; PG-TO252-3; 43W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 3G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.1V Case: PG-TO252-3 Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.3µA Max. forward impulse current: 13.5A Power dissipation: 43W |
товар відсутній |