IDD10SG60C

IDD10SG60C Infineon Technologies


Infineon-IDD10SG60C-DS-v02_04-en-522608.pdf Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN
на замовлення 1579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDD10SG60C Infineon Technologies

Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 10A; PG-TO252-3; 120W, Technology: CoolSiC™ 3G; SiC, Power dissipation: 120W, Case: PG-TO252-3, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Semiconductor structure: single diode, Max. off-state voltage: 0.6kV, Max. forward voltage: 1.8V, Load current: 10A, Leakage current: 0.8µA, Type of diode: Schottky rectifying, Max. forward impulse current: 44A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IDD10SG60C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDD10SG60C IDD10SG60C Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDD10SG60C-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 10A; PG-TO252-3; 120W
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Leakage current: 0.8µA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IDD10SG60C IDD10SG60C Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDD10SG60C-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 10A; PG-TO252-3; 120W
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 10A
Leakage current: 0.8µA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 44A
товар відсутній