IDD10SG60CXTMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 318.18 грн |
| 100+ | 243.67 грн |
| 500+ | 212.42 грн |
| 1000+ | 167.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDD10SG60CXTMA2 INFINEON
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V.
Інші пропозиції IDD10SG60CXTMA2 за ціною від 167.98 грн до 437.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDD10SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IDD10SG60CXTMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 5374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IDD10SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 3027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IDD10SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IDD10SG60CXTMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V |
товар відсутній |