Продукція > INFINEON > IDDD08G65C6XTMA1
IDDD08G65C6XTMA1

IDDD08G65C6XTMA1 INFINEON


2619569.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+237.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDDD08G65C6XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IDDD08G65C6XTMA1 за ціною від 105.62 грн до 252.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD08G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff7d31a104b Description: DIODE SIL CARB 650V 24A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.84 грн
10+ 192.29 грн
100+ 155.55 грн
500+ 129.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDDD08G65C6_DS_v02_00_EN-3163464.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.64 грн
10+ 208.54 грн
100+ 146.8 грн
250+ 138.83 грн
500+ 130.86 грн
1000+ 111.6 грн
1700+ 105.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON 2619569.pdf Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 10-polig
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 40infineon-iddd08g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R
товар відсутній
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 40infineon-iddd08g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R
товар відсутній
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 40infineon-iddd08g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R
товар відсутній
IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDDD08G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff7d31a104b IDDD08G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes
товар відсутній
IDDD08G65C6XTMA1 IDDD08G65C6XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IDDD08G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628ff7d31a104b Description: DIODE SIL CARB 650V 24A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V
товар відсутній