IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 365.26 грн |
| 10+ | 352.36 грн |
| 25+ | 348.61 грн |
| 100+ | 316.29 грн |
| 250+ | 289.12 грн |
| 500+ | 264.65 грн |
| 1000+ | 261.44 грн |
| 1700+ | 258.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IDDD20G65C6XTMA1 за ціною від 278.09 грн до 602.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V |
на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDDD20G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
IDDD20G65C6XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V |
товар відсутній |