IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 133.6 грн |
50+ | 103.24 грн |
100+ | 84.95 грн |
500+ | 67.45 грн |
1000+ | 57.23 грн |
2000+ | 54.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDH04G65C5XKSA2 за ціною від 52.74 грн до 142.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IDH04G65C5XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |