IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH10SG60CXKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V.
Інші пропозиції IDH10SG60CXKSA2 за ціною від 172.91 грн до 603.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IDH10SG60CXKSA2 | Виробник : Infineon Technologies | 3rd Generation SiC Schottky Diode |
товар відсутній |