IDH16G120C5XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 541.47 грн |
5+ | 492.04 грн |
10+ | 442.61 грн |
50+ | 389.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDH16G120C5XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 57nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IDH16G120C5XKSA1 за ціною від 338.48 грн до 743.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDH16G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220-1 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IDH16G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IDH16G120C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 40A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IDH16G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; 250W; PG-TO220-2 Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Power dissipation: 250W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 5.5µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IDH16G120C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; 250W; PG-TO220-2 Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Power dissipation: 250W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 5.5µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A |
товар відсутній |