IDW20G120C5BFKSA1

IDW20G120C5BFKSA1 Infineon Technologies


infineon-idw20g120c5b-ds-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+603.7 грн
10+ 553.38 грн
27+ 538.99 грн
71+ 506.61 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDW20G120C5BFKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDW20G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 106nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IDW20G120C5BFKSA1 за ціною від 532.07 грн до 973.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IDW20G120C5BFKSA1 IDW20G120C5BFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-20140610_IDW20G120C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014695635f956a3f Description: DIODE ARR SIC 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 31A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 83 µA @ 1200 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+855.07 грн
10+ 725.49 грн
100+ 627.49 грн
IDW20G120C5BFKSA1 IDW20G120C5BFKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IDW20G120C5B_DataSheet_v02_02_EN-3163504.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+899.74 грн
10+ 815.08 грн
25+ 678.21 грн
50+ 661.6 грн
100+ 620.42 грн
240+ 601.82 грн
480+ 532.07 грн
IDW20G120C5BFKSA1 IDW20G120C5BFKSA1 Виробник : INFINEON INFNS29998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW20G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 106nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+973.18 грн
5+ 904.63 грн
10+ 835.33 грн
50+ 718.92 грн
100+ 610.61 грн
IDW20G120C5BFKSA1 IDW20G120C5BFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDW20G120C5B-DTE.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 250W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Power dissipation: 250W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Max. forward voltage: 1.4V
Leakage current: 12µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IDW20G120C5BFKSA1 IDW20G120C5BFKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IDW20G120C5B-DTE.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 250W; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Power dissipation: 250W
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Max. forward voltage: 1.4V
Leakage current: 12µA
товар відсутній