IDW30G65C5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 441.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IDW30G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V.
Інші пропозиції IDW30G65C5XKSA1 за ціною від 405.86 грн до 778.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDW30G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 650 V |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IDW30G65C5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
на замовлення 1213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IDW30G65C5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDW30G65C5 THT Schottky diodes |
товар відсутній |