Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IFF450B12ME4PB11BPSA1
IFF450B12ME4PB11BPSA1

IFF450B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-IFF450B12ME4P_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801602ab243df000f Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 450A 40W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 40 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+16885.95 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IFF450B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IFF450B12ME4PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 450A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoDUAL 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IFF450B12ME4PB11BPSA1 за ціною від 15564.15 грн до 21083.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IFF450B12ME4PB11BPSA1 IFF450B12ME4PB11BPSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IFF450B12ME4P_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801602ab243df000f Description: INFINEON - IFF450B12ME4PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+17169.1 грн
5+ 15564.15 грн
IFF450B12ME4PB11BPSA1 IFF450B12ME4PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IFF450B12ME4P_B11_DataSheet_v03_02_JA-3163572.pdf IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+21083.55 грн
IFF450B12ME4PB11BPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IFF450B12ME4PB11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONOD-6
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IFF450B12ME4PB11BPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IFF450B12ME4PB11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONOD-6
товар відсутній