Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IFF600B12ME4PB11BPSA1
IFF600B12ME4PB11BPSA1

IFF600B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon_IFF600B12ME4P_B11_DS_v03_01_JA-3163585.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+19794.5 грн
30+ 19510.95 грн
54+ 15379.13 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IFF600B12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 600A 40W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 40 W, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V.

Інші пропозиції IFF600B12ME4PB11BPSA1 за ціною від 22449.61 грн до 22449.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IFF600B12ME4PB11BPSA1 IFF600B12ME4PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IFF600B12ME4P_B11-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801602ab2bc49001e Description: IGBT MOD 1200V 600A 40W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 40 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+22449.61 грн
IFF600B12ME4PB11BPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IFF600B12ME4PB11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-ECONOD-6
Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics
Technology: EconoDUAL™ 3
Collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 1.2kA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IFF600B12ME4PB11BPSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IFF600B12ME4PB11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-ECONOD-6
Application: for UPS; Inverter; motors; photovoltaics
Technology: EconoDUAL™ 3
Collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 1.2kA
товар відсутній