на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 25357.27 грн |
| 10+ | 23410.38 грн |
| 20+ | 19590.43 грн |
| 50+ | 19286.67 грн |
| 100+ | 19133.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IFF750B12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: MEDIUM POWER ECONO, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 750A, NTC Thermistor: Yes, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 750 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 51 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 115000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IFF750B12ME7B11BPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IFF750B12ME7B11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MEDIUM POWER ECONOPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 750A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 750 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 51 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 115000 pF @ 25 V |
товар відсутній |