Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IFS100B12N3E4PB11BPSA1
IFS100B12N3E4PB11BPSA1

IFS100B12N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 150A 515W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+15882.13 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IFS100B12N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 150A 515W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 515 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції IFS100B12N3E4PB11BPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IFS100B12N3E4PB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8df8c915eefileid5546d462503812b.pdf MIPAQ base Modul with Trench/Feild stopp IGBT4 and Ewithter Controlled Diode and Press FIT/bereits aufgetragenem ThermalInter face Material MIPAQ basemod
товар відсутній