IGLD60R190D1AUMA3 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 395.64 грн |
| 10+ | 319.9 грн |
| 100+ | 258.8 грн |
| 500+ | 215.88 грн |
| 1000+ | 184.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLD60R190D1AUMA3 Infineon Technologies
Description: GAN HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA, Supplier Device Package: PG-LSON-8-1, Part Status: Active, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGLD60R190D1AUMA3 за ціною від 232.57 грн до 488.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLD60R190D1AUMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HV GAN DISCRETES |
на замовлення 2811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IGLD60R190D1AUMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005557217 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IGLD60R190D1AUMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-LSON-8-1 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V |
товар відсутній |