Технічний опис IGT60R042D1ATMA1 Infineon Technologies
Description: GAN HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V.
Інші пропозиції IGT60R042D1ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IGT60R042D1ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
товар відсутній |
||
| IGT60R042D1ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET |
товар відсутній |