IGW08T120 Infineon Technologies
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 254.69 грн |
| 10+ | 221.88 грн |
| 25+ | 190.27 грн |
| 100+ | 160.89 грн |
| 240+ | 160.23 грн |
| 480+ | 115.5 грн |
| 1200+ | 109.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW08T120 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3; single transistor, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 8A, Power dissipation: 70W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube, Semiconductor structure: single transistor.
Інші пропозиції IGW08T120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW08T120 | Виробник : Rochester Electronics, LLC |
 Description: IGW08T120 - DISCRETE IGBT WITHOU |
на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IGW08T120 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3; single transistor Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 8A Power dissipation: 70W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single transistor |
товар відсутній |