IGW25T120FKSA1

IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies


igw25t120_rev2_3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 4.2mJ, Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.

Інші пропозиції IGW25T120FKSA1 за ціною від 152.8 грн до 475.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+244.33 грн
10+ 234.91 грн
25+ 218.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+303.71 грн
42+ 284.5 грн
47+ 253.64 грн
50+ 229.31 грн
100+ 197.14 грн
Мінімальне замовлення: 39
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+308.14 грн
10+ 288.66 грн
25+ 257.35 грн
50+ 232.67 грн
100+ 200.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGW25T120-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 25A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+313.05 грн
4+ 223.23 грн
10+ 210.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies IGW25T120_Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4281fd73d6c Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 3963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+347.37 грн
30+ 265.05 грн
120+ 227.19 грн
510+ 189.52 грн
1020+ 162.27 грн
2010+ 152.8 грн
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGW25T120-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.66 грн
4+ 278.18 грн
10+ 252.86 грн
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : INFINEON INFNS14051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW25T120FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+382.7 грн
10+ 289.83 грн
100+ 187.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+475.42 грн
28+ 429.67 грн
50+ 376.96 грн
100+ 346.23 грн
200+ 308.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon IGW25T120_Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4281fd73d6c
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGW25T120FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGW25T120_DS_v02_04_en-1226935.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній