IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 133.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A.
Інші пропозиції IGW50N65H5FKSA1 за ціною від 121.51 грн до 391.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IGW50N65H5FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |