IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 51 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns, Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off), Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 27 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції IKA10N65ET6XKSA2 за ціною від 65.5 грн до 168.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKA10N65ET6XKSA2 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IKA10N65ET6XKSA2 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 40 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKA10N65ET6XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 51 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A Supplier Device Package: PG-TO220-3-FP IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A Power - Max: 40 W |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKA10N65ET6XKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKA10N65ET6XKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 9A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 42.5A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Manufacturer series: T6 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKA10N65ET6XKSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 9A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 42.5A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Manufacturer series: T6 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |