IKB20N60TATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 94.02 грн |
| 2000+ | 86.01 грн |
| 5000+ | 82.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IKB20N60TATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 41 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns, Switching Energy: 770µJ, Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 166 W.
Інші пропозиції IKB20N60TATMA1 за ціною від 80.71 грн до 380.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IKB20N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKB20N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKB20N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKB20N60TATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKB20N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W |
на замовлення 8533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IKB20N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IKB20N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IKB20N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IKB20N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 166W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IKB20N60TATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IKB20N60TATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 166W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |